OG东方

近日
，OG东方半导体推出了1200V/14mΩ SiC MOSFET 产品－ S1M014120H
，并通过了车企和tier1厂商的测试
。 S1M014120H拥有业界当先的低导通电阻
，其静态导通个性和动态开关个性均达到了国际一流水平
，可利用于新能源汽车电机节造器、大功率充电？椤⒐夥姹淦饕约按蠊β蚀⒛艿攘煊
，S1M014120H的推出添补了国内涵该领域的产品空缺
。

       S1M014120H重要静态参数与国际一流产品（源于各产品规格书）对好比下表所示：

      对比看出
，S1M014120H能够在更大的栅极驱动电压领域内工作
，以适应分歧驱动电路的开发需要
。其最高允许工作结温为175℃
，进一步提升了器件的载流能力
，有助于实现更高的功率密度
，其静态参数达到国际一流水平
。

      同时
，OG东方半导体与国内当先的功率？楣└嚏敲芎献
，凭据新能源汽车电驱动系统的具体需要（1200V/800A）
，对选取S1M014120H和国际主流厂家同规格SiC芯片造作的多芯片并联功率？樵诔Ｎ录案呶碌目鼗茏隽司咛灞碚
，选取S1M014120H造作的？榈某：蜕聘呶虑榭鱿鹿囟虾偷纪ǜ鲂匀缦峦妓荆

      与选取国际主流芯片造作的？椴馐粤司侄员
，选取S1M014120H的？槌鱿植ㄐ位蟆⒏咂嫡竦醋枘嵝вν蛊稹⒖啬芰康偷奶氐
，越发适合电机节造器与充电？檎饫喽孕芤约暗绱偶嫒菪杂懈咭蟮睦
。在开关波形个性以及能量损耗方面
，OG东方半导体推出的S1M014120H已具备国际一流水平的动态机能
。

      OG东方半导体凭借雄厚的技术实力
，不休实现SiC MOSFET产品研发及市场利用的突破
，4月量产首款国产15V驱动SiC MOSFET
，8月推出国内最低导通电阻的1200V/14mΩ SiC MOSFET
，目前分歧规格的MOSFET产品已规模利用到光伏、电源和OBC领域
。公司不只始终对准国际技术前沿
，更是注沉产品质量节造
，建有齐全的质量节造系统和靠得住性尝试室
，1200V量产SiC MOSFET 系列产品已通过AEC-Q101测试
，新研发产品靠得住性测试均顺利进行中
。

      自我国确立“双碳”指标以来
，新能源产业步入逾越式发展阶段
，这为以碳化硅为代表的第三代半导体产业发作提供了贵重的汗青机缘
。我国占有全球最大的电动车市场
，由于碳化硅功率器件可显著提升新能源汽车的功率密度、能效和续航里程
，预计2～3年后SiC MOSFET将宽泛利用于新能源车主驱
。机能与靠得住性比肩国际主流产品
，且可能合用于电动车主驱的低导通电阻国产SiC MOSFET芯片将成为行业的火急需要
，市场潜力巨大
。OG东方半导体已从技术研发、产品量产、质量管控、产能供给等方面做好全方位筹备
，致力推动SiC MOSFET国产化过程
，支持我国新能源汽车急剧发展
，助力国度实现“双碳」亟略的雄伟指标
。