OG东方

OG东方半导体

About SICHAIN

OG东方半导体占有国际当先水平的SiC器件设计及工艺研发团队,团队主题从事SiC半导体技术20余年,研发和产业化多代SiC功率器件,蕴含SiC二极管和MOSFET,并先后通过工业级及车规级测试。

  • SiC JBS
  • SiC MOSFET
  • Power Module
  • Bare Die
OG东方·(全站)
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SiC JBS

碳化硅肖特基二极管

SiC JBS是一种高效、靠得住、耐用、靠得住的硅二极管,拥有高浪涌、低VF、高速、寄生电容幼、零反向复原、高工作结温等特点。

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SiC MOSFET

金属-氧化物半导体场效应晶体管

SiC MOSFET拥有高压、低导通电阻、高速、寄生电容幼、高工作结温、急剧复原体二极管、开尔文衔接驱动等特点。

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Power Module

碳化硅功率 ?

拥有业界当先的导通电阻个性、极佳靠得住性水平

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Bare Die

碳化硅裸芯

集成了先进的自研SiC MOSFET和SBD,越发贴切客户需要

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引领碳化硅(SiC)芯片将来

OG东方半导体占有国际当先水平的SiC器件设计及工艺研发团队,团队主题从事SiC半导体技术20余年,研发和产业化多代SiC功率器件,蕴含SiC二极管和MOSFET,并先后通过工业级及车规级测试。

  • 500 W+

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