OG东方

    近日，OG东方半导体推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技术平台，该平台首款主驱芯片（型号：S3M008120BK）的常温导通电阻低至8mΩ。该平台通过专利技术和工艺美满，实现了当先国际同类产品的比导通电阻系数Rsp=2.1 mΩ.cm，如图1所示，进一步实现高电流处置能力和更幼损耗，援手新能源汽车电机驱动器进一步开释SiC高功率密度及高能量转化效能潜力，提高续航里程。

图1 OG东方半导体1、2、3代产品比电阻Rsp变动

    该产品额定电压为1.2 kV，额定电流超过220A，室温阈值电压典型值为2.7~2.8V。图2别离给出了该芯片在常温及高温的输出个性曲线，体现了良好的导通电阻温度个性。在等效的芯单方面积下，与上一代技术相比导通损耗降低约20%，可能以更高的效能、更幼的封装和更高的靠得住性实现利用设计。值得指出的是，和传统芯片迭代技术方式分歧，该芯片在降低导通电阻的同时维持了与前两代相近的良好短路耐受个性。